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借帮新型60V FemtoFET MOSFET缩幼工业元件占位面积
来源:dafa大发手机版 作者:dafafa888网页 | 发布时间: 2022-08-10 03:48:08 | | 分享到:

  今天正在中国深圳,我碰到了一位正在一家消息文娱体系创造商任职的计划师。“您可巧正在计划顶用过60V的负载开闭吗?”我问。他说用过,并告诉我他的电道板蕴涵了约莫10个30V-60V的幼表形晶体管(SOT)-23,漏源导通电阻RDS(ON)大凡100m足下。“正在这些电道板上,您有碰到过空间受限的题目吗?”我问。他确实遇到过,于是我向他展现TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET的本事消息,RDS(ON)不到60m,占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1),是专为诸如消息文娱体系等空间受限的利用情形计划的。

  比拟您的那些家用电器采用的SOT-23(6.75mm2) 封装(参见图2),新型MOSFET的尺寸约有其六分之一。这意味着,新型MOSFET不只RDS(ON)导通电阻更幼,其封装尺寸也比古代MOSFET幼75%。

  与这位工程师做了极少急迅谋略,咱们的结论是要是每个电道板用10个元件,他就能省俭约莫55mm2占位面积公多半的工程师大凡过后才会思到这省俭的是不幼的空间。那么焊盘间距情形奈何呢?运气的是,这个微型LGA封装正在计划中同样斟酌了工业客户的需求,他们同等以为0.5mm是两个焊盘之间的首选最幼间距。

  当前,我正在工业市集不期而遇的每部分,无论是从事临蓐电源、电池回护装备仍旧电动东西的,简直都对更幼尺寸或更高职能(或兼具两个特质)的负载开闭颇有笑趣。

  是以,要是您的工业计划须要应用不少SOT-23或更大的负载开闭,请斟酌拔取TI新型的CSD18541F5 MOSFET。坚信我,您的PCB占位面积会也会对您感激涕泣。